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論文

EELS analysis of SiC crystals under hydrogen and helium dual-ion beam irradiation

北條喜一; 大津仁*; 古野茂実; 櫛田浩平; 出井数彦*; 笹島尚彦*

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 141(1-4), p.148 - 153, 1998/00

https://doi.org/10.1016/S0168-583X(98)00181-5

被引用回数：31 パーセンタイル：89.54(Instruments & Instrumentation)

水素とヘリウムイオンをSiC結晶に照射し、その構造変化を400keV電顕でその場観察した。その結果、室温照射では損傷量が約1dpaで完全に非晶化した。また、電顕付設の透過電子エネルギー損失分光装置をもちいて、それぞれの照射量におけるプラズモン損失量を測定した結果、そのピークが低エネルギー側に約1.2eVシフトすることを見出した。

論文

In situ EELS and TEM observation of silicon carbide irradiated with helium ions at low temperature and successively annealed

北條喜一; 古野茂実; 櫛田浩平; 大津仁*; 古谷吉男*; 出井数彦*

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 116, p.382 - 388, 1996/00

https://doi.org/10.1016/0168-583X(96)00075-4

被引用回数：32 パーセンタイル：91(Instruments & Instrumentation)

イオン照射型・電界放射電子銃付電子顕微鏡付設透過電子エネルギー分光器を用いて、水素及びヘリウムイオンをSiCに連続照射し、その構造と電子状態の変化を観察、測定した。その結果、室温照射では損傷量が約1dpaで非晶質化し、プラズモン損失ピークが低エネルギー側(22.7eV19.5eV)にシフトすることを明らかにした。さらに、800 $^{circ}$ C以上の試料温度で照射した場合は構造及び電子状態になんら変化がないことが明らかになった。